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本实用新型公开了一种基于五层SOI的MEMS单片集成结构,包括:在硅片上采用标准的SOI CMOS工艺完成集成电路部分的制作;在硅片上淀积钝化层保护集成电路部分;在硅片背面光刻,刻蚀背面硅至绝缘层,并刻蚀暴露出的绝缘层;在硅片正面光刻,刻蚀...该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。
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