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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的隧道氧化层、浮栅、栅间介电层和控制栅，其中所述隧道氧化层的位于有源区边缘区域的部分的厚度大于所述隧道氧化层的位于有源...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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