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本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述制备方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层；步骤S2：在所述第一牺牲材料层上形成第一震荡膜材料层，以覆盖所述第一牺牲材料层；步骤S3：在所述第一震荡膜材料层上形成第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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