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本发明公开了一种基于有源补偿子电路的GaN HEMT大信号模型改进方法，主要解决现有GaN HEMT大信号模型无法精确拟合Kink效应和自热效应区域的问题。其技术方案是：1.测量所用器件，通过数据拟合得到高电子迁移率晶体管大信号模型EEHE...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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