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本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种图形传感器及其制造方法，其包括半导体衬底、层间介质层、接触电极、钙钛矿光电薄膜、钝化层以及三基色滤光膜。本发明通过钙钛矿光电薄膜的引入，使光电转换单元与其它功能单元分离，将传统CMOS图像...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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