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本发明提供了一种SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法，其包括：将SiC基GaN器件远离SiC衬底的表面键合到蓝宝石载托上；在SiC衬底表面溅射金属形成起镀层；在起镀层上电镀金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷PBO纤维，并对PBO纤维进行烘烤形成...
该专利属于成都嘉石科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都嘉石科技有限公司授权不得商用。

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