下载一种MOCVD设备喷淋头及其气相反应控制方法的技术资料

文档序号:13051759

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本发明提供的MOCVD设备喷淋头包括MO源通道、保护气体通道、氧源通道、观察通道、以及反应腔,MO源气体、保护气体分别通过MO源通道、保护气体通道直达反应腔内部,氧源气体通过缓冲腔分散后再通过氧源通道到达反应腔,保护气体通道设置于MO源通道...
该专利属于广州市威时强光电科技发展有限公司;佛山市中山大学研究院所有,仅供学习研究参考,未经过广州市威时强光电科技发展有限公司;佛山市中山大学研究院授权不得商用。

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