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本发明公开了一种二硒化钴/碳纳米材料，包括基底、厚度为1μm～2μm的CoSe2层以及厚度为1nm～10nm的无定形碳层，所述CoSe2层生长于所述基底表面，呈现三维片状结构，所述无定形碳层附着于所述CoSe2层表面，且所述CoSe2层与所...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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