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提供一种能够有效地提高阈值电压的碳化硅半导体装置及其制造方法。具备：第1导电类型的漂移层(2)，形成于碳化硅基板(1)上；多个第2导电类型的阱区域(3)，相互隔开间隔地形成于漂移层(2)的表层部；第1导电类型的源极区域(4)，形成于阱区域(...
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