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本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。相变化记忆体包含主动元件、下电极、第一绝缘层、上电极、加热器以及环状相变化层。下电极耦接主动元件，第一绝缘层位于下电极上方，而上电极位于第一绝缘层上方。加热器嵌于第一绝缘层中，而环状相变化层则围绕第一...该专利属于宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司授权不得商用。