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本实用新型提供一种GaN基LED外延结构，该LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型AlGaN层，P型GaN层。其中，N型GaN层包括依次排布的第一GaN层、高掺杂N型GaN层和第二GaN层，第一GaN层和第二...
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