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本发明提供了一种显影液喷嘴检验模板及方法,检验模板包括至少一组形成在半导体基底上相互平行的切割道,以及在半导体基底表面与切割道交界处的条形光刻胶;每条切割道的宽度大于等于显影喷嘴宽度,且同组切割道中两相邻切割道的相邻边的距离等于两相邻显影喷...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种显影液喷嘴检验模板及方法,检验模板包括至少一组形成在半导体基底上相互平行的切割道,以及在半导体基底表面与切割道交界处的条形光刻胶;每条切割道的宽度大于等于显影喷嘴宽度,且同组切割道中两相邻切割道的相邻边的距离等于两相邻显影喷...