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本发明公开了一种掩膜只读存储器，包括：硅衬底中的P阱，浅隔离槽位于硅衬底和P阱上部，并且浅隔离槽位于P阱两侧，P阱上部形成有多个N型埋源/漏区，多个N型埋源/漏区之间具有多个沟道区，栅氧位于所述浅沟槽、P阱、N型埋源/漏区和沟道的上方，其中...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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