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一种具有降低的输出电容的氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管器件包括衬底层、配置在衬底层上的一个或多个缓冲层、配置在缓冲层上的阻挡层、及形成于阻挡层与缓冲层间的界面的二维电子气(2DEG)。此外，栅极电极配置在阻挡层上且介电层配置在栅极...
该专利属于宜普电源转换公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜普电源转换公司授权不得商用。

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