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本实用新型提供了一种Si基GaAs器件。其包括：包括Si基片和外延片，外延片包括横向生长形成的GaAs成核层和位于GaAs成核层上的GaAs器件结构，Si基片上具有与外延片的尺寸相匹配的集成区域，Si基片在集成区域处减薄一定厚度，且集成区域...
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