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本发明公开了一种超薄晶片电阻器的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：基板分割:将一块基板上划分出两块对称的区域，在两个区域上分别镭射切割出若干条相互垂直的纵线和横线，所述若干条相互垂直的纵线和横线分别将两个区域均匀分割成若干矩形格，每个矩形...
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