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本发明涉及一种利用光刻胶以及低温等离子体刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤：在硅片表面涂覆光刻胶，曝光，烘烤固化，进行低温等离子体刻蚀，从而在硅片表面形成密排的纳米锥状的陷光结构。本发明提供的方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性的黑硅，且该方...
该专利属于国家纳米科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过国家纳米科学中心授权不得商用。

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