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本发明得到一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其能够抑制在GaN沟道层的表面处的损坏、陷阱等，提高设备特性。在Si衬底(1)上，以第1生长条件形成GaN沟道层(3)。在GaN沟道层(3)上，一边从第1生长条件变化为第2生长条件，一边形成GaN...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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