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本发明涉及一种自旋霍尔效应辅助的磁性随机存储器，本发明利用自旋霍尔效应来降低磁性存储器的功耗，其中磁性层被放置于产生自旋霍尔效应的重金属层上方(或下方)，与金属电极之间有一层绝缘层相隔。该发明可以有效地缩短水平磁化层与记录层的距离，降低对相...
该专利属于中电海康集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电海康集团有限公司授权不得商用。

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