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本发明涉及一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法，包括以下步骤：步骤1）将类石墨氮化碳前驱体、硬模板SiO2球分散在水中，在25～50℃下搅拌10～60分钟，其中，所述类石墨氮化碳前驱体与水的质量比为1～20，所述SiO2球与水的质量比...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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