温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，该方法包括：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，将H2流量逐渐增至60L/min...该专利属于国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司授权不得商用。