温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种提升通孔层工艺窗口的方法，先在通孔层版图上查找图形密度低的区域，在不影响实际电路设计的空白区域添加冗余通孔图形，然后进行通孔上层金属层图形的光刻、刻蚀，把上层金属层图形传递到硬掩膜层，以及进行通孔图形的光刻、刻蚀，把通孔图形...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。