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本发明提供了一种ALD沉积高k值材料的锗基MOS器件衬底的表面钝化方法及得到的锗基MOS器件，该方法其包括对锗衬底进行清洗；然后用HF溶液处理锗衬底，接着用氯苯的饱和PCl5溶液处理锗衬底，最后再用四氢呋喃的烷基卤化镁(R-Mg-X)溶液处...
该专利属于西交利物浦大学所有，仅供学习研究参考，未经过西交利物浦大学授权不得商用。

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