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本申请涉及制造后段制程中间层结构的方法，其提供用于制造中间层结构的方法，例如，以用于提供电路结构的BEOL互连件。该方法包括，例如，提供中间层结构，其包含：在基板结构之上提供未固化绝缘层；于该未固化绝缘层上方形成能量移除膜；形成穿过该能量移...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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