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本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括：基板；形成于基板上的缓冲层；形成于缓冲层上的半导体层；形成于缓冲层、半导体层上的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上的栅极；形成于栅极绝缘层、栅极上的介电层；以及形成于介电层上的钝化层；在钝化层、介电层与...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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