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半导体电容结构制造技术
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文档序号:12951142
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本发明实施例公开了一种半导体电容结构。其包括:第一金属层,作为所述半导体电容结构的第一电极的一部分,所述第一金属层包括:第一部分,具有第一图案;以及第二部分,连接至所述第一部分;第二金属层,作为所述半导体电容结构的第二电极的一部分;以及第一...
该专利属于联发科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联发科技股份有限公司授权不得商用。
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