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本发明属于信息存储技术领域，涉及一种高密度低成本磁记录介质合金L10-FeNi及其制备方法。本发明的高密度低成本磁记录介质FeNi合金，为多层薄膜结构，其特征在于：FeNi薄膜是以(001)MgO为基板，Fe为种子层，Au为缓冲层，通过分子...
该专利属于钢铁研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过钢铁研究总院授权不得商用。

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