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本发明公开了一种伪差分电容型逐次逼近模数转换器，包括第一和二电容阵列、校准电容阵列和比较器，第一电容阵列的低位段子电容阵列保持单端结构、高位第一段子电容阵列和第二电容阵列组成差分结构，第一和二电容阵列组成单端结合差分的伪差分电容阵列。模数转...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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