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本发明公开了一种基于硅平面工艺、NPNPN型高维持电压、高峰值电流、可双向箝位瞬态过压的双向瞬态电压抑制器件，包括P型衬底，P型衬底上设有N型深阱；所述N型深阱内设有第一P阱、第一N阱、第二P阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第...
该专利属于湖南静芯微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南静芯微电子技术有限公司授权不得商用。

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