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本实用新型涉及IGBT抗干扰和过压保护技术，具体为一种门极吸收抑制电路模块。解决了目前IGBT功率器件所采用的保护电路抗电磁干扰能力差、无过压抑制保护功能使得IGBT容易误导通甚至损坏的技术问题。一种门极吸收抑制电路模块，包括上管IGBT门...
该专利属于永济新时速电机电器有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过永济新时速电机电器有限责任公司授权不得商用。

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