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本实用新型公开了一种基于酞菁铜-掺杂硅异质结的近红外光敏二极管。由于结合了酞菁铜光敏层的高光吸收系数和掺杂硅的高载流子迁移率，本实用新型具有光电流大、光响应度高和稳定性好的优点。依据上述技术思路发明的近红外光敏二极管由掺杂硅、酞菁铜光敏层、...
该专利属于兰州大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学授权不得商用。

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