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本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，其中：刻蚀阻挡层设置于有源层的上方，且刻蚀阻挡层中形成有多个过孔；源电极和漏电极设置于刻蚀阻挡层的上方，且所述源电极和漏电极利用刻蚀阻挡层中的多个过孔，通过所述有源层连接...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司授权不得商用。