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本实用新型提供一种AMR传感器，其包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；其中每个磁阻条上设有若干个导电条。这样，可以避免由于过刻损伤到下层的...
该专利属于美新半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美新半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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