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本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法,包括如下步骤:1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理;2)进行铝预沉积,在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入,并进行氧化推进工艺,使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构;3)研磨所述硅圆...该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过株洲南车时代电气股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法,包括如下步骤:1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理;2)进行铝预沉积,在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入,并进行氧化推进工艺,使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构;3)研磨所述硅圆...