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本发明涉及一种基于MEMS工艺制造光衰减器阵列的方法，在硅基光学平台上进行封装，输入光纤和输出光纤分别位于VOA芯片的两端，其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分，所述掏空部分可供光纤通过，所述输入光纤和输出光纤的端面直接耦合。以及一种...
该专利属于深圳市盛喜路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市盛喜路科技有限公司授权不得商用。

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