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本发明公开了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法，首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层，然后光刻出Fin图形，并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层，形成Fin结构，最后再在Fin结构的栅位置光刻形成金属栅...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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