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本发明公开了一种碲镉汞表面绝缘层的制备方法，该方法基于原子层沉积技术实现，采用臭氧作为氧源，在低于100oC的条件下在碲镉汞上生长非晶绝缘层。本发明具有反应温度低、绝缘层质量高、可控性好等优点；本发明在红外探测器和自旋器件领域具有广阔的应用...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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