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本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV-LED)，自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱有源区、AlzGa1-zN电子阻挡层，GaN或低Al组分...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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