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一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域导电类型不同；在第一区域形成至少一个第一伪栅极结构，第一伪栅极结构包括第一伪栅极，在第二区域形成至少一个第二伪栅极结构，第二伪栅极结构包括第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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