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本发明提供了一种互连结构及其形成方法。互连结构的形成方法包括：先采用硅源气体和氧源气体对基底进行等离子体处理，在所述基底上形成等离子体增强硅氧化物粘附层，之后在于所述等离子体增强硅氧化物粘附层上形成介质层，在刻蚀所述介质层在所述介质层和等离...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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