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本发明主要涉及功率半导体器件领域，提出了一种功率半导体器件结构。本结构包括功率半导体器件有源区和结终端区；通过在有源区内部填充HK材料降低有源区导通电阻，达到降低功率器件功耗的目的，同时HK材料耐压能力优于硅，可以减小有源区版图面积；在有源...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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