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本申请公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括：提供衬底，衬底内形成有埋入层；刻蚀衬底形成第一浅沟槽，第一浅沟槽的深度小于埋入层在衬底内的深度，并将相邻第一浅沟槽之间的衬底作为有源区；形成覆盖第一浅沟槽和衬底的隔离物...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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