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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜及其制备方法。本发明要解决的技术问题是为半导体材料提供一种新选择。本发明的技术方案是一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜，包括导电衬底和生长在导电衬底上的异质结构；所...
该专利属于西南大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南大学授权不得商用。

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