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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极和漏极，以及位于所述源极和所述漏极之间的半导体层上的栅极；与所述源极电连接的源极场板；位于所述栅极和所述源极场板之间的高介电常...
该专利属于苏州捷芯威半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州捷芯威半导体有限公司授权不得商用。

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