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本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，TFT阵列基板通过同一道光罩工艺在基板上形成底栅电极及公共电极，其中底栅电极为金属层与金属氧化物导体层的叠层结构，公共电极为金属氧化物导体层的单层结构。从而本发明的TFT阵列基板的制作方法能够减少...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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