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本发明公开的是一种精炼工业硅制备太阳能级硅的方法，主要解决了现有冶金法制备太阳能级多晶硅工艺路线都比较长、设备较复杂、成本较高以及工艺的可控性较差等问题。本发明包括以下步骤：（1）冶金级硅在炉内熔化后获得硅熔体，向炉内通入保护气体和精炼气体...
该专利属于成都理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过成都理工大学授权不得商用。

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