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本发明公开了一种基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管，自下而上依次包括栅极、n型硅衬底和二氧化硅隔离层，所述的二氧化硅隔离层上开有窗口，窗口两侧的二氧化硅隔离层表面上分别具有源极和漏极，所述的接触势垒场效应管还包括石墨烯导电通道层，石墨烯导电通...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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