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本发明涉及一种异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：3C-SiC漏区、3C-SiC源区、3C-SiC沟道区、肖特基接触栅电极、Si衬底、漏极、源极、SiN隔离层；3C-SiC漏区、3C-SiC源区、3C-SiC沟道区位于...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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