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本申请案涉及用以改进用于mems应用的PbZrTiO3及Pt膜的结晶度的方法。通过经离子化金属等离子IMP工艺在衬底(102)上溅镀钛粘附层(122)而形成含有压电组件的微电子装置(100)。所述粘附层(122)经氧化使得在所述粘附层的顶部...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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