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本发明主要涉及半导体功率器件，功率器件的端接结构包括多个端接组，形成在第一导电类型的轻掺杂外延层中，在第二导电类型的重掺杂半导体衬底上方。每个端接组都包括一个形成在第一导电类型的轻掺杂外延层中的沟槽。沟槽所有的侧壁都被交替导电类型的多个外延...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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